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　　【专利摘要】本发觉供给一种可能使创修时的制品率普及的振动兴办的创修形式。本发觉所涉及的振动兴办的创修形式包罗：将与振动片的行使时的驱动电力比拟而较高的电力施加于振动片，从而使振动片强勉励的工序(S5-1)；正在使振动片强勉励的工序之后，奉行振动片的频率医治的工序(S5-2)。

　　[0009]本行使例所涉及的振动兴办的创修形式包罗，将与振动片的行使时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片，从而使所述振动片强勉励的工序;正在使所述振动片强勉励的工序之后，奉行所述振动片的频率医治的工序。

　　[0010]正在此种振动兴办的创修形式中，因为正在使振动片强勉励之后奉行振动片的频率医治，于是如后文所述，可能正在频率医治工序中使振动片的等效串联电阻的值(Cl值)低落，从而可能使振荡率普及。于是，依照此种振动兴办的创修形式，可能使振动兴办的创修时的制品率提尚O

　　[0013]正在此种振动兴办的创修形式中，因为包罗正在基板上变成所述振动片的振动片变成工序，于是比方可能正在基板上变成有振动片的状况下使振动片强勉励。换言之，正在振动兴办的创修形式中，可能正在将振动片收纳正在容器中之前使振动片强勉励。

　　[0026]正在上述行使例所涉及的振动兴办的创修形式中，也能够采用如下方法，S卩，包罗接合工序，所述接合工序为，正在使所述振动片强勉励的工序之前，经由接合部件而对基座与所述振动片举办接合的工序。

　　[0035]本行使例所涉及的振动兴办的创修形式包罗:变成振动片的振动片变成工序;经由接合部件而对基座与所述振动片举办接合的振动片接合工序;经由接合部件而对所述基座与半导体装配举办接合的半导体装配接合工序;正在所述半导体装配接合工序之前，将与所述振动片的行使时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片的强勉励工序。

　　[0036]正在此种振动兴办的创修形式中，可能提尚振汤器的创修时的制品率。另外，正在此种振荡器的创修形式中，因为可能正在将振动片收纳正在容器中之前使振动片强勉励，于是可能低落附着正在振动片上的异物被带入容器内的不妨性。

　　[0046]图10为示意驱动电平与Cl值的改变率之间的合联的弧线为示意驱动电平与振荡率之间的合联的弧线为示意通过第二奉行方法所涉及的振子的创修形式而获得的振子，图12(A)为俯视外观图，图12(B)为图12(A)所示的A-Y部的剖视图。

　　[0050]图14为示意第二奉行方法所涉及的振子的振动片变成工序，图14(A)为具有众个振动元件的晶片的外观立体图，图14(B)为图14(A)所示的B部放大俯视图，图14(C)、图14(D)为示意正在振动元件上变成有电极的状况的放大俯视图。

　　[0056]以下，行使附图对本发觉的优选的奉行方法举办具体证明。此外，不才文中举办证明的奉行方法并非对权益条件书所纪录的本发觉的实质举办不对适限度的方法。另外，不才文中所证明的组织不肯定全盘为本发觉的必须组成因素。

　　[0059]开始，参照附图并对成为本奉行方法所涉及的振子(振动兴办的一个示例)的创修形式的奉行对象的振子举办证明。图1(A)为示意性地示意本奉行方法所涉及的振子5100的剖视图。图1(B)为示意性地示意本奉行方法所涉及的振子5100的俯视图。此外，图1(A)为图1 (B)的A-A线具备振动片5102、封装件5110。以下，对振动片5102以及封装件5110举办具体证明。

　　[0062]图2为示意性地示意振动片5102的立体图。图3为示意性地示意振动片5102的俯视图。图4为示意性地示意振动片5102的图3的IV-1V线的V-V线、勉励电极5020a、5020b。

　　[0065]水晶等的压电原料日常为三方晶系，并具有如图6所示的结晶轴(Χ,Υ,Ζ)』轴为电轴，Y轴呆板轴，Z轴为光轴。水晶基板5101为以沿着使XZ面(包蕴X轴以及Z轴的面)绕X轴转动角度Θ的面的方法而从压电原料(比方，人工水晶)切割出的、所谓的转动Y切割水晶基板的平板。此外，使Y轴以及Z轴缠绕X轴也转动Θ，并分歧设为Y轴以m轴。水晶基板5101为，将包蕴X轴与Z轴的面设为主面并将沿着Y轴的偏向设为厚度偏向的基板。正在此，正在设为Θ= 35° 157时，水晶基板5101成为AT切割水晶基板。于是，AT切割水晶基板5101以与矿轴正交的XZ面(包蕴X轴以及Z轴的面)成为主面(振动部的主面)，并可能以厚度切变振动行动主振动而举办振动。通过对该AT切割水晶基板5101举办加工，从而可能获得水晶基板5010。

　　[0066]如图6所示，水晶基板5010由AT切割水晶基板5101构成，正在所述AT切割水晶基板5101中，将由水晶的结晶轴、即行动电轴的X轴、行动呆板轴的Y轴、行动光轴的Z轴构成的正交坐标系的X轴设为转动轴，将以使Z轴朝向-Y偏向且+Z侧举办转动的方法而倾斜的轴设为Z7轴，将以使Y轴朝向Z轴的+Z偏向且+Y侧举办转动的方法而倾斜的轴设为矿轴，将包蕴X轴以及Z轴的面设为主面，将沿着Y轴的偏向设为厚度偏向。此外，正在图2至图5以及下文所示的图7中，图示了互相正交的X轴、矿轴以及Z7轴。

　　[0068]正在水晶基板5010中，比方，将矿轴偏向设为厚度偏向，而正在从Y轴偏向举办俯视窥察时(以下，也简称为“俯视窥察时”)，具有将X轴偏向设为长边且将Z轴偏向设为短边的矩形的体式。水晶基板5010具有周边部5012、振动部5014。

　　[0070]正在俯视窥察时，振动部5014被周边部5012覆盖，而且与周边部5012比拟而厚度较大。振动部5014具有沿着X轴的边与沿着Z7轴的边。整体而言，正在俯视窥察时，振动部5014具有将X轴偏向设为长边，并将Z7轴偏向设为短边的矩形的体式。振动部5014具有第一局部5015、第二局部 5016。

　　[0072]振动部5014的第二局部5016与第一局部5015比拟而厚度较小。正在图示的示例中，第二局部5016为具有厚度t2的局部。第二局部5016被设备正在第一局部5015的+X轴偏向以及-X轴偏向上。即，第一局部5015正在X轴偏向上被第二局部5016包夹。如上所述，振动部5014具有厚度分歧的两种局部5015、5016，振动片5102具有二阶型的台面组织。

　　[0073]振动部5014可能以厚度切变振动行动主振动而举办振动。因为振动部5014为二阶型的台面组织，于是振动片5102可能具有将能量封锁的恶果。此外，“厚度切变振动”是指，水晶基板的位移偏向与水晶基板的主面平行(正在图示的示例中，水晶基板的位移偏向为X轴偏向)、且波的传达偏向为板的厚度偏向的振动。

　　[0074]振动部5014具有，与周边部5012比拟而向+Yl由偏向超越的第一凸部5017、与周边部5012比拟而向-Y轴偏向超越的第二凸部5018。比方，凸部5017、5018的体式类似，凸部5017、5018的巨细类似。凸部5017、5018被组成为，包罗第一局部5015以登第二局部5016。

　　[0075]如图5所示，正在第一凸部5017的+X轴偏向的侧面5017a和-X轴偏向的侧面5017b，以登第二凸部5018的+X轴偏向的侧面5018a和-X轴偏向的侧面5018b上，比方设备有由第一局部5015的厚度与第二局部5016的厚度的差和第二局部5016的厚度与周边部5012的厚度的差而变成的两个崎岖差。

　　[0076]如图4所示，第一凸部5017的+Z7轴偏向的侧面5017c比方为相对付包蕴X轴以及Z7轴的面而笔直的面。第一凸部5017的-Z7轴偏向的侧面5017d比方为相对付包蕴X轴以及Z7轴的面而倾斜的面。

　　[0077]如图4所示，第二凸部5018的+Z7轴偏向的侧面5018c比方为相对付包蕴X轴以及Z7轴的面而倾斜的面。第二凸部5018的-Z7轴偏向的侧面5018d为相对付包蕴X轴以及Z7轴的面而笔直的面。

　　[0078]第一凸部5017的侧面5017d以登第二凸部5018的侧面5018c比方正在将含有氟酸的溶液行动蚀刻液而对AT切割水晶基板举办蚀刻加工的环境下，通过使水晶结晶的m面映现，从而成为相对付包蕴X轴以及Z7轴的面而倾斜的面。此外，固然未图示，不过对付水晶基板5010的侧面5017d、5018c以外的-Z7偏向的侧面，也能够通过使水晶结晶的m面映现，从而成为相对付包蕴X轴以及Y轴的面而倾斜的面。

　　[0079]另外，如图7所示，侧面5017d、5018c也可认为相对付包蕴X轴以及Z轴的面而笔直的面。比方，可能通过诈欺激光而对AT切割水晶基板举办加工或诈欺干蚀刻而对AT切割水晶基板举办蚀刻加工，从而将侧面5017d以及侧面5018c设为相对付包蕴X轴以及Z轴的面而笔直的面。此外，为了便于证明，正在图2中图示了侧面5017d、5018c为相对付包蕴X轴以及Y轴的面而笔直的面的环境。

　　[0080]第一勉励电极5020a以登第二勉励电极5020b以俯视窥察时与振动部5014重合的方法而设备。正在图示的示例中，勉励电极5020a、5020b还被设备正在周边部5012上。勉励电极5020a、5020b的平面体式(从Y轴偏向窥察的体式)比方为矩形。正在俯视窥察时，振动部5014被设备正在勉励电极5020a、5020b的外周围的内侧。即，正在俯视窥察时，勉励电极5020a、5020b的面积与振动部5014的面积比拟而较大。勉励电极5020a、5020b为用于向振动部5014施加电压的电极。

　　[0081 ] 第一勉励电极5020a经由第一引出电极5022a而与第一电极衬垫5024a维系。第二勉励电极5020b经由第二引出电极5022b而与第二电极衬垫5024b维系。电极衬垫5024a、5024b被设备正在周边部5012的+X轴偏向侧。行动勉励电极5020a、5020b、引出电极5022a、5022b以及电极衬垫5024a、5024b，比方行使从水晶基板5010侧将铬、金顺次举办层压而成的元件。

　　[0082]此外，固然正在上文中对俯视窥察时勉励电极5020a、5020b的面积大于振动部5014的面积的示例举办了证明，不过正在俯视窥察时勉励电极5020a、5020b的面积也能够小于振动部5014的面积。正在该环境下，勉励电极5020a、5020b被设备正在俯视窥察时振动部5014的外周围的内侧。

　　[0083]另外，固然正在上文中对振动部5014为具有厚度分歧的两种局部5015、5016的二阶型的台面组织举办了证明，不过振动片5102的台面组织的阶梯数并没有极度地限度。比方振动片5102也可认为，振动部具有厚度分歧的三种局部的三阶型的台面组织，还可认为振动部不具有厚度分歧的局部的一阶型的台面组织。另外，振动片5102并不限度于台面型，比方水晶基板5010也可认为匀称的厚度，还可认为斜面组织或凸面组织。

　　[0084]另外，固然正在上文中，对正在第一凸部5017的侧面5017c、5017d以登第二凸部5018的侧面5018c、5018d上未设备由第一局部5015的厚度与第二局部5016的厚度的差而变成的崎岖差的示例举办了证明，不过正在振动片5102中，也能够正在侧面5017c，5017d、5018c、5018d上设备崎岖差。

　　[0085]另外，固然正在上文中，对具有与周边部5012比拟而朝向+Y7轴偏向超越的第一凸部5017和与周边部5012比拟而朝向-Y轴偏向超越的第二凸部5018的示例举办了证明，不过振动片5102也能够仅具有大肆一方的凸部。

　　[0087]如图1(A)以及图1 (B)所示，封装件5110具有箱状的基座5112和板状的盖体5114，所述基座5112具有被装备正在对朝向上轮廓怒放的凹部5111以及凹部5111的启齿举办覆盖的基座5112的上端面上的密封环5113，所述盖体5114以对凹部5111的启齿举办窒碍的方法而与基座5112接合。此外，正在图1 (B)中，为了便于证明，省略了盖体5114以及密封环5113的图示。

　　[0090]基座5112的材质比方为氧化铝等的各类陶瓷。盖体5114的材质比方为与基座5112的材质和线膨胀系数近似的材质。整体而言，正在基座5112的材质为陶瓷的环境下，盖体5114的材质为科瓦铁镍钴合金等的合金。

　　[0091]正在封装件5110的凹部5111的底面上设备有第延续接端子5130以登第二维系端子5132。第延续接端子5130以与振动片5102的第一电极衬垫5024a对置的方法而设备。第二维系端子5132以与振动片5102的第二电极衬垫5024b对置的方法而设备。维系端子5130、5132经由导电性固定部件5134而分歧与电极衬垫5024a、5024b电维系。

　　[0092]正在封装件5110的底面上设备有第一外部端子5140以登第二外部端子5142。第一外部端子5140比方被设备正在俯视窥察时与第延续接端子5130重合的职位处。第二外部端子5142比方被设备正在俯视窥察时与第二维系端子5132重合的职位处。第一外部端子5140经由未图示的贯穿孔而与第延续接端子5130电维系。第二外部端子5142经由未图示的贯穿孔而与第二维系端子5132电维系。

　　[0093]行动维系端子5130、5132以及外部端子5140、5142，比方，行使正在Cr(铬)、W(钨)等的金属喷镀层(基底层)上层压了Ni(镍)、Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)等的各个被膜的金属被膜。行动导电性固定部件5134比方，可行使焊锡、银浆料、导电性粘合剂(使金属粒子等的导电性填料散开正在树脂原料中的粘合剂)等。

　　[0095]接下来，对本奉行方法所涉及的振子的频率医治形式以及振子的创修形式举办证明。图8为示意本奉行方法所涉及的振子的创修形式的一个示例的流程图。图9为示意性地示意本奉行方法所涉及的振子的创修工序的剖视图。

　　[0096]本奉行方法所涉及的振子的创修形式包罗本奉行方法所涉及的振子的频率医治形式。正在图8所示的本奉行方法所涉及的振子的创修形式中，行动本奉行方法所涉及的振子的频率医治形式而包罗强勉励工序S5-1和频率医治工序S5-2。

　　[0101]比方，将搭载了振动片5102的基座5112导入退火炉(未图示)内，并通过200°C至300 °C驾驭的峰值加热温度而对导电性粘合剂5134a奉行退火。正在第一退火工序S2中，比方，奉行包蕴2小时的峰值加热温度的加热正在内的4小时的退火。正在第一退火工序S2中，通过使导电性粘合剂5134a固化，从而可能变成导电性固定部件5134。

　　[0102]正在此，正在第一退火工序S2中，也能够正在真空境遇下奉行退火。通过正在真空境遇下奉行退火，从而可能使勉励电极5020a、5020b的氧化水准低落。由此，可能对老化个性的恶化举办欺压。这种环境正在后文讲述的第二退火工序S4以登第三退火工序S6中也类似。

　　[0105]比方，将搭载了振动片5102的基座5112导入退火炉内，并对振动片5102以及导电性固定部件5134奉行加热统治。第二退火工序S4比方正在与第一退火工序S2类似的温度条款、类似的年光条款下奉行。正在第二退火工序S4中，可能奉行正在第一退火工序S2中无法饱满去除的导电性固定部件5134中的外部气体因素的排出和附着正在振动片5102上的外部气体因素的去除，而且可能使第一退火工序S2中无法全部祛除的振动片5102的应力畸变低落。

　　[0107]整体而言，如图9所示，通过正在基座5112上安置了振动片5102的状况下，行使合成器或强勉励用的振荡电途等，并向勉励电极5020a、5020b施加与振动片5102的行使时(奉行广泛的行动时的驱动电力)比拟而较高的电力，从而使振动片5102强勉励(过分驱动)。振动片5102的行使时的驱动电力比方为0.0lmW驾驭。正在强勉励工序S5-1中，向振动片5102施加2.5mW以上且10mW以下的电力。更优选为，正在强勉励工序S5-1中，向振动片5102施加1mW以上且I OOmW以下的电力。施加年光比方为I秒以上且30秒以下。通过以此方法使振动片5102强勉励，从而可能使振动片5102的等效串联电阻、即所谓的Cl(晶体阻抗)值低落，进而正在频率医治工序S5-2中可能使振荡率普及(参照后文所述的“3.试验例”)。

　　[0108]正在此，驱动电平是指，用于使振动片5102振荡的电力，而且以P= I2 XRe的方法示意。此外，I为流经振动片的电流(有用值)，Re为振动片的等效串联电阻。流经振动片的电流I可能通过正在振荡电途上诈欺示波器赢得流经振动片的电流波形等而盘算推算出。

　　[0110]比方，固然未图示，不过通过使测定装配的探测器和与勉励电极5020a、5020b电维系的外部端子5140、5142、监控电极(未图示)等抵接，从而使振动片5102勉励，并对所输出的频率举办测定。此时的驱动电平为振动片的广泛行使时的驱动电平。而且，正在被测定出的实践频率与所需的频率之间存正在频率差的环境下，通过照耀离子激光等来对勉励电极5020a、5020b的一局部举办蚀刻(离子蚀刻)以使质地淘汰，从而奉行频率医治。此外，也能够通过对勉励电极5020a、5020b奉行成膜以使质地増加，从而奉行频率医治。

　　[0112]比方，将搭载了振动片5102的基座5112导入退火炉内，并对振动片5102以及导电性固定部件5134奉行加热统治。正在第三退火工序S6中，比方奉行包蕴45分钟的200°C至300°C驾驭的峰值加热温度的加热正在内的退火。

　　[0113]通过第三退火工序S6，从而可能奉行正在第一退火工序S2以登第二退火工序S4中无法饱满去除的导电性固定部件5134中的外部气体因素的排出和附着正在振动片5102上的外部气体因素的去除，而且可能使第一退火工序S2以登第二退火工序S4中无法全部祛除的振动片5102的应力畸变低落。而且，可能使频率医治工序S5-2中新施加的振动片5102的应力畸变低落。

　　[0115]接下来，如图1(A)所示，对盖体5114与基座5112举办接合，从而对基座5112的凹部5111举办密封(密封工序S7)。由此，可能将振动片5102收纳正在封装件5110的收纳空间(凹部5111)内。基座5112与盖体5114的接合通过将盖体5114装载于密封环5113上且比方行使电阻焊机而将密封环5113焊接正在基座5112上而奉行。此外，基座5112与盖体5114的接统一没有极度限度，也能够行使粘合剂来奉行，还能够通过缝焊而奉行。

　　[0117]比方，固然未图示，但通过使测定装配的探测器抵接于与勉励电极5020a、5020b电维系的外部端子5140、5142或监控电极(未图示)等，从而对振子5100的个性(DLD(DriveLevel Dependence:驱动电平合联性)个性等)举办测定。

　　[0120]正在本奉行方法所涉及的振子5100的频率医治形式中，包罗向振动片5102施加与振动片5102的行使时的驱动电力比拟而较高的电力，而使振动片5102强勉励的工序S5-1，和正在使振动片5102强勉励的工序S5-1之后奉行振动片5102的频率医治的工序S5-2。于是，可能使振动片5102的Cl值低落，进而可能正在频率医治工序S5-2中使振荡率普及(参照后文讲述的“3.试验例”)。于是，可能使振子5100的创修时的制品率提尚。

　　[0121]正在本奉行方法所涉及的振子5100的频率医治形式中，正在使振动片5102强勉励的工序S5-1中，向振动片5102施加2.5mW以上且10mW以下的电力。由此，可能使振动片5102的Cl值低落，进而可能使振荡率普及(参照后文讲述的“3.试验例”)。

　　[0122]正在本奉行方法所涉及的振子5100的频率医治形式中，正在使振动片5102强勉励的工序S5-1中，向振动片5102施加1mW以上且10mW以下的电力。由此，可能使振动片5102的Cl值进一步低落，进而可能使振荡率进一步普及(参照后文所述的“3.试验例”)。

　　[0128]整体而言，正在上述的振子5100的创修形式中，对强勉励工序S5-1的过分驱动时的驱动电平DL为DL = 0.1mW的环境、DL = 0.5mW的环境、DL = 2.5mW的环境、DL = 1mW的环境、L= 10mW的环境下各自的过分驱动前后的Cl值举办了测定。此外，振子设为AT切割型的振子，振荡频率设为16MHz。

　　0.1mW的环境行动示例来举办证明。开始，正在上述的振子5100的创修形式中，对强勉励工序S5-1之前向振动片施加广泛行使时的驱动电平DL = 0.0lmW并奉行Cl值的测定。接下来，正在强勉励工序S5-1中，以仅施加I秒以上且30秒以下的驱动电平DL = 0.1mW的电力的方法而举办强勉励(过分驱动)。接下来，再次向振动片施加广泛行使时的驱动电平DL = 0.0lmW并奉行Cl值的测定。以此方法，对DL = 0.1mW的环境下的过分驱动前后的Cl值的改变率举办计笪并ο

　　[0132]图10为示意过分驱动时的驱动电平DL与相对付过分驱动前的Cl值(CIl)的过分驱动后的Cl值(CI2)的改变率((CI2-CI1)/CI1)之间的合联的弧线所示，正在以施加驱动电平DL = 2.5mW以上的方法而奉行了过分驱动之后的振动片的Cl值与奉行过分驱动之前的Cl值比拟而大幅淘汰。整体而言，正在以施加DL = 2.5mW的方法而奉行过分驱动之后，Cl值淘汰了40%。另外，正在以施加DL= 1mW的方法而奉行过分驱动之后，Cl值淘汰了45 %。而且，正在以施加DL = 10mW的方法而奉行过分驱动之后，Cl值淘汰了 50 %。由此可知，通过以施加驱动电平DL = 2.5mW以上的较高的驱动电平的方法而奉行过分驱动，从而使振动片向易于振荡的状况改变。

　　[0136]整体而言，与上述的第一试验例类似，分歧对强勉励工序S5-1中的过分驱动时的驱动电平为DL = 0.1mW的环境、DL = 0.5mW的环境、DL = 2.5mW的环境、DL = 1mW的环境、DL =10mW的环境下各自的振荡率举办测定。此外，振子设为AT切割型的振子，振荡频率设为16MHz ο

　　[0137]此外，振荡率示意平常振荡的振动片相对付全盘测定命的比例。另外，平常振荡的振动片是指，DL = 0.0lmW的Cl值知足振荡电途的负阻个性的振动片。正在此，对1000个的振动片正在每个驱动电平DL的条款下是否平常振荡举办考虑。

　　[0138]图11为示意过分驱动时的驱动电平DL与过分驱动后的振荡率之间的合联的弧线所示，正在驱动电平DL= 0.0lmW的环境下、即未奉行过分驱动的环境下，振荡率为93%驾驭，正在以驱动电平DL = 2.5mW以上的方法而奉行过分驱动的环境下，振荡率成为100%。

　　[0140]此外，正在对振动片施加了驱动电平DL=10mW的过分驱动中，如上所述，获得了Cl值淘汰50%且振荡率成为100%的饱满的恶果。于是，为了完成低电力化，优选为，过分驱动以10mW以下的驱动电平的方法而奉行。

　　[0141]此外，上述的振子的创修形式通过包罗正在振动片搭载工序SI之前变成振动片5102的振动片变成工序、和正在密封工序S7之前使后文讲述的半导体装配700正在与振动片5102互不作梗的职位处经由后文讲述的接合部件510而与基座5112维系的接合工序，从而变成了振荡器的创修形式。

　　[0142]由此，上述振荡器的创修形式包罗变成振动片5102的振动片变成工序、经由接合部件(导电性粘合剂5134a)而对基座5112与振动片5102举办接合的接合工序(振动片搭载工序SI)、向振动片5102施加与振动片5102的行使时的驱动电力比拟而较高的电力的强勉励工序(强勉励工序S5-1)、经由接合部件510而对半导体装配700与基座5112举办维系的接合工序。

　　[0145]图12为示意通过第二奉行方法所涉及的振子(振动兴办的一个示例)的创修形式而获得的振子的概要组织，图12(A)为省略了盖体的外观俯视图，图12(B)为图12(A)所示的A-A7部的剖视图。

　　[0146]如图12(B)所示，图12所示的振子1000具备振动片100、具有可收纳振动片100的凹部空间200a的封装件(相当于第一奉行方法的基座)200、盖体300、以对封装件200与盖体300举办接合的方法而对凹部空间200a举办密封的密封部件400。

　　21、被变成正在压电元件10的第二主面1b上的第二电极22。压电元件10假若为水晶、陶瓷、PZT等的具备压电性的原料则并没有极度限度，而正在本奉行方法中行使水晶来举办证明。以下，将压电元件10称为水晶元件10。

　　[0148]如图12(A)所示，第一电极21具备:勉励电极21a，其正在第一主面1a上且具备本奉行方法中的大致矩形的平面体式;维系电极21b，其被变成正在成为第一主面1a的反面的第二主面1b上;延迟部21c，其将勉励电极21a与维系电极21b接正在一齐。另外，第二电极22具备:勉励电极22a，其正在第二主面1b上且以正在俯视窥察时与被变成正在第一主面1a上的勉励电极21a重合的方法而具备本奉行方法中的大致矩体式的平面体式;维系电极22b;延迟部22c，其对勉励电极22a与维系电极22b举办维系。

　　[0149]封装件200由具备绝缘性的比方陶瓷、树脂、玻璃等而变成。正在封装件200的凹部空间200a的底部200b上变成有维系电极610，而且通过被变成正在未图示的封装件200的内部的配线的外部底面200c 上。

　　[0150]振动片100正在封装件200的凹部空间200a内，以使维系电极21b、22b与维系电极610对置的方法而装备，并通过具有导电性的接合部件500而被维系、装备。而且，正在封装件200的凹部空间200a的启齿部侧的具有框体式的平面体式的上端面200d上，经由密封部件400而固定接合有盖体300，从而对凹部空间200a举办气密性密封。此外，优选为，对凹部空间200a比方以真空密封或者填充惰性气体的方法而举办气密性密封。

　　[0152]图13为示意上述的振子1000的创修形式的流程图。图13(A)为示意第二奉行方法所涉及的振子的创修形式，图13(B)为示意图13(A)所示的强制勉励工序(S20)的具体实质，图13(C)为示意图13(A)所示的收纳工序(S40)的具体实质的流程图。

　　[0156]如行动图14(A)所示的B部的放大图的图14(B)所示，比方通过诈欺光刻法而奉行的图案变成与蚀刻而正在晶片2000上变成众个贯穿部2010a，而且通过变成贯穿部2010a而变成了众个水晶元件部2010b和行动与晶片2000维系的维系部的折取部2010c，从而获得振动元件晶片2010。

　　[0157]奉行通过如下方法而获得具有众个第一振动片部2110的第一振动片晶片2020的振动片变成工序(SlO)，即，正在所获得的振动元件晶片2010的轮廓上通过蒸镀或阴极真空喷镀而变成导电性的金属膜，并通过诈欺光刻法而奉行的图案变成与蚀刻，从而如图14(C)所示正在被变成于振动元件晶片2010上的水晶元件部2010b的一个轮廓上变成第一电极21，而且如图14(D)所示正在水晶元件部2010b的另一轮廓上变成第二电极22和第一电极21的维系电极21b。

　　[0159]如图14(C)、图14(D)所示，通过振动片变成工序(SlO)而获得的具备众个变成有第一电极21和第二电极22的第一振动片部2110的第一振动片晶片2020被迁徙至强勉励工序(S20)。如图13(B)所示，强勉励工序(S20)包罗电力施加工序(S21)、查抄工序(S22)、不足格品去除工序(S23)。

　　[0161]开始，奉行电力施加工序(S21)，电力施加工序(S21)使维系端子3200a、3200b与各自的维系电极21b、22b接触，并通过强勉励掌握部3100而向第一电极21和第二电极22施加预订的大电力。而且，通过向勉励电极21a，22a被提供的大电力而饱舞第一振动片部2110举办较大的振幅的振动，从而将附着正在第一电极21以登第二电极22上的异物的起码一局部振洛。另外，可能使水晶兀件10与电极21、22的紧贴性提尚。

　　[0162]正在以预订的年光向第一振动片部2110施加了大电力之后，使维系端子3200a、3200b与维系电极21b、22b别离而了结针对付第一振动片部2110的电力施加工序(S21)，从而变成第二振动片部2120。然后，使维系端子3200a、3200b向下一个第一振动片部2110转移，并奉行电力施加工序(S21)，并按次第对第一振动片晶片2020所具备的全盘第一振动片部2110奉行电力施加工序(S21)，从而获得具备众个第二振动片部2120的第二振动片晶片2021。然后，迁徙至查抄工序(S22)。

　　[0164]因为正在电力施加工序(S21)中施加了凌驾第二振动片部2120的预订行动电力的电力，而预测到一局部的第二振动片部2120会形成损坏，于是查抄工序(S22)对是否可能获得预订的行动举办查抄。固然未图示，但正在查抄工序(S22)中，使与查抄装配连正在一齐的查抄端子与维系电极21b、22b接触并施加预订的电力而使其勉励，而且依照所获得的振荡信号而对所需的品格比方频率、等效串联电阻值等举办检测并决断杰出与否。

　　[0166]通过查抄工序(S22)而对各自的第二振动片部2120杰出与否举办决断的第二振动片晶片2021被迁徙至不足格品去除工序(S23)。如图15(B)所示，正在不足格品去除工序(S23)中，被决断为不足格的不足格振动片部2120F通过从折取部2010c上被折取下来，从而从第二振动片晶片2021上被去除。当不足格振动片部2120F正在上述的查抄工序(S22)中被决断为不足格时，第二振动片晶片2021内的不足格振动片部2120F的振动片晶片2020内的职位讯息将被存储正在未图示的查抄装配中，并通过未图示的按压单位而被附加图示的箭头偏向按压F。被附加了按压F的不足格振动片部2120F会正在强度最弱的折取部2010c处断裂，从而使不足格振动片部2120F从第二振动片晶片2021上离开并去除。此外，正在不足格品去除工序中，也能够庖代从第二振动片晶片2021上去除不足格振动片部2120F，而行使油墨或激光等正在不足格振动片部2120F的轮廓上附加可能诈欺图像识别形式而举办识其它标识。

　　[0167]以上，奉行了包罗电力施加工序(S21)、查抄工序(S22)、不足格品去除工序(S23)正在内的强勉励工序(S20)，从而获得变成了众个及格品的第二振动片部2120的第二振动片晶片2022，进而迁徙至接下来的单片化工序(S30)。

　　[0169]与上述的不足格品去除工序(S23)类似，单片化工序(S30)为从具有及格品的第二振动片部2120的第二振动片晶片2022向各自的第二振动片部2120附加按压F而使折取部2010c断裂，从而取出振动片100的单片的工序。正在单片化工序(S30)中被单片化的振动片100被迁徙至收纳工序(S40)。此外，正在不足格品去除工序(S23)中行使油墨或激光等而正在不足格振动片部2120F的轮廓上附加可能诈欺图像识别形式而举办识其它标识的环境下，正在单片化工序中只需设为奉行图像识别而不取出不足格振动片部2120F的方法即可。

　　[0171]收纳工序(S40)为通过所谓的封装而获得振子1000(图12参照)的工序。收纳工序(S40)为包罗安置工序(S41)、频率医治工序(S42)、密封工序(S43)的工序。图16为示意收纳工序(S40)的创修工序，其相当于图12(A)所示的A-A部的局部的剖视图，且对付与图12所示的振子1000类似的组织因素标注类似符号并省略了证明。

　　[0173]正在收纳工序(S40)中，开始奉行安置工序(S41)。如图16(A)所示，正在安置工序(S41)中，正在封装件200的凹部空间200a的底部200b上所变成的维系电极610上装备具有导电性的接合部件500。然后，将振动片100上所变成的维系电极21b、22b部以与维系电极610对置的方法而装载于维系电极610上的接合部件500上，并使振动片100装备正在凹部空间200a内。然后，使接合部件500固化而使维系电极610与振动片100的维系电极21b、22b电维系，而且通过将振动片100固定正在封装件200内而了结安置工序(S41)。此外，接合部件500并未极度限度于比方导电性粘合剂、焊锡、金属凸点等，不过优选为行使制品率较高的导电性粘合剂。

　　[0175]当通过安置工序(S41)而使振动片100被搭载正在封装件200的凹部空间200a内时，迁徙至频率医治工序(S42)。如图16 (B)所示，频率医治工序(S42)通过未图示的激光照耀装配从封装件200的凹部空间200a的启齿侧朝向第一电极21的勉励电极21a照耀激光L直至成为所需的振动频率为止，并通过激光L而对勉励电极21a的一局部的电极金属举办蒸腾、去除。此外，除了上述的形式以外，频率医治工序(S42)也能够通过向勉励电极21a照耀离子或脉冲等而被奉行，还能够通过正在勉励电极21a上诈欺蒸镀、溅射等的形式而向勉励电极21a附加Au、Ag、Al等而被奉行。

　　[0177]搭载有通过频率医治工序(S42)而被医治为所需的频率的振动片100的封装件200被迁徙至密封工序(S43)。如图16(C)所示，正在密封工序(S43)中，开始正在封装件200的凹部空间200a的启齿部侧的具有框体式的平面体式的上端面200d上装载密封部件400，而且正在密封部件400上装载盖体300。此外，密封部件400优选为行使与封装件200的热膨胀系数亲切的原料，比方科瓦铁镍钴合金。另外，盖体300也优选为行使与封装件200以及密封部件400的热膨胀系数亲切的原料，比方科瓦铁镍钴合金等。此外，封装件200也能够行使正在上端面200d上预先装载有密封部件400的装配。

　　[0178]而且，正在被支持为真空境遇或者惰性气体境遇的未图示的统治室(腔室)内，通过缝焊等的接合形式而使盖体300与封装件200举办气密性接合，从而了结密封工序(S43)并了结收纳工序(S40)，由此而获得振子1000。然后，迁徙至查抄工序(S50)。

　　[0180]正在查抄工序(S50)中，基于行动制品的振子1000的预订样式而奉行查抄。固然未图示，但查抄工序(S50)通过使查抄装配所具备的端子与外部维系电极620a、620b接触而奉行的预订的功效品格查抄，而且奉行通过肉眼或者显微镜而举办的外观查抄等，从而奉行杰出与否的决断。

　　[0181]固然正在现有的振子中已知有为了普及勉励电极与元件片的紧贴性而奉行强勉励即所谓的过分驱动，不过正在广泛环境下正在封装件内振动片的密封之后奉行强勉励。不过，正在该现有的形式中，因强勉励而附着正在振动片上的异物会被振落正在密封的封装件内部空间内，从而残留正在封装件内部空间内的异物几次从振动片上附着以及离开而成为使振动片的振动个性更正的苛重情由。

　　[0182]不过，正在第二奉行方法所涉及的振子1000的创修形式中，通过正在振动片晶片2020的状况下奉行强勉励工序(S20)而使附着正在振动片100上的异物的起码一局部被振落，从而使附着正在振动片100的异物带入封装件200内的不妨性低落。于是，可能获得具备安祥的振动个性的振子1000。此外，假若以与第一奉行方法的强勉励工序(S5-1)类似的条款奉行第二奉行方法的强勉励工序(S20)，则可能获得与第一奉行方法类似的恶果。

　　[0184]图17为示意通过第三奉行方法所涉及的振荡器(振动兴办的一个示例)的创修形式而获得的振荡器的概要组织，图17(A)为省略了盖体的外观俯视图，图17(B)为图17(A)所示的C-C部的剖视图。图17所示的振荡器1100为包罗第二奉行方法所涉及的振子1000所具备的振动片100和包蕴振动片100的振荡电途的半导体装配的装配，而且对付与第二奉行方法所涉及的振子1000及其创修形式类似的组织因素标注类似符号并省略了证明。

　　[0185]如图17(B)所示，图17所示的振荡器1100具备振动片100、半导体装配700(以下，称为IC700)、封装件(基座)210、盖体300、以将封装件210与盖体300举办接合的方法而对凹部空间210a、210b举办密封的密封部件400，此中，所述封装件(基座)210具有可对IC700举办收纳的第一凹部空间210a和可对与第一凹部空间210a相连的振动片100举办收纳第二凹部空间210b。

　　[0186]IC700具备外部电极700b，所述外部电极700b被变成正在IC700的一个轮廓700a上而且与被变成正在未图示的IC700的内部的电途电维系。而且，以使IC700的外部电极700b与封装件210的第一凹部空间210a的底部210d上所变成的IC维系电极612对置的方法而装备，并通过具有导电性的接合部件510而接合，从而将IC700收纳正在封装件210的第一凹部空间210a 内。

　　[0187]振动片100以维系电极21b、22b与正在成为封装件210的第二凹部空间210b的底部的崎岖差部210c上变成的维系电极611对置的方法而装备，并通过具有导电性的接合部件500而被固定、装备。而且，通过被变成正在封装件210的内部的未图示的曲折配线电维系。而且kb体育，IC维系电极612通过被变成正在封装件210的内部的未图示的引出配线b电维系。

　　[0188]接下来，对振荡器1100的创修形式举办证明。本奉行方法所涉及的振荡器1100的创修形式具备与第二奉行方法所涉及的振子1000的创修形式即图13所示的流程图类似的工序。不过，与图13(C)所示的收纳工序(S40)所包罗的安置工序(S41)的组织分歧，图18为示意该安置工序(S41)所包罗的工序的流程图。此外，如上所述，正在第三奉行方法所涉及的振荡器1100的创修形式中，对付与第二奉行方法所涉及的振子1000的创修形式类似的工序省略了证明。

　　[0190]通过本奉行方法所涉及的创修形式而获得的振荡器1100具备通过第二奉行方法所涉及的创修形式而获得的振子1000所具备的振动片100。于是，与图13(a)所示的振动片变成工序(SlO)起至单片化工序(S30)的工序类似。由此，省略了证明。

　　[0192]收纳工序(S40)为通过所谓的封装操作而获得振荡器1100(图17参照)的工序。收纳工序(S40)为包罗安置工序(接合工序)(S41)、频率医治工序(S42)、密封工序(S43)的工序。而且，安置工序(S41)为包罗IC安置工序(S411)、振动片安置工序(S412)的工序。图19为相当于图17(A)所示的C-C部的局部的剖视图，图17(A)为示意收纳工序(S40)所包蕴的安置工序(S41)的创修工序，对付与图17所示的振荡器1100类似的组织因素标注类似符号并省略了证明。

　　[0194]正在安置工序(S41)中，开始奉行IC安置工序(S411)。如图19(A)所示，IC安置工序(S411)为，正在封装件210的第一凹部空间210a的底部210d上所变成的IC维系电极612上装备具有导电性的接合部件510，并以使预先打定的IC700的外部电极700b与IC维系电极612对置的方法而装载正在接合部件510上。然后，使接合部件510固化而使IC维系电极612与IC700的外部电极700b电维系，而且通过将IC700固定正在封装件210上从而了结IC安置工序(S411)。此外，正在IC安置工序(S411)中，也能够通过将接合部件510装备正在IC700的外部电极700b上并将接合部件510与IC维系电极612举办接合而使IC维系电极612与外部电极700b电维系。另外，除了上述的形式以外，也能够正在以未变成有外部电极700b的轮廓与封装件210的第一凹部空间210a的底部210d对置的方法而对IC700举办装备之后，通过接合引线](振动片安置工序)

　　[0196]正在IC安置工序(S411)之后，迁徙至振动片安置工序(S412)。如图19(B)所示，正在振动片安置工序(S412)中，开始正在成为封装件210的第二凹部空间210b的底部的崎岖差部210c上所变成的维系电极611上装备具有导电性的接合部件500。接下来，使振动片100所具备的维系电极21b、22b与维系电极611对置而将振动片100收纳正在第二凹部空间210b内，并以正在接合部件500上与维系电极21b、22b接触的方法而将振动片100装载于崎岖差部210c上。然后，使接合部件500固化而使维系电极611与振动片100的维系电极21b、22b电维系，而且通过将振动片100固定正在封装件210上而了结振动片安置工序(S412)。

　　[0199]频率医治工序(S42)以及密封工序(S43)为与第二奉行方法所涉及的振子1000的创修形式类似的创修形式。如图19 (B)所示，本奉行方法所涉及的频率医治工序(S42)向封装件210中所收纳的振动片100的第一电极21的勉励电极21a照耀激光L而对勉励电极21a的一局部举办蒸腾、去除，从而医治为所需的频率。

　　[0200]正在频率医治工序(S42)之后，迁徙至密封工序(S43)。如图19(C)所示，正在密封工序(S43)中，开始正在封装件210的第二凹部空间21 Ob的启齿部侧的具有框体式的平面体式的上端面210f上装载密封部件400，而且还正在密封部件400上装载盖体300。然后，正在被支持为真空境遇或者惰性气体境遇的未图示的统治室(腔室)内，通过缝焊等的接合形式而对盖体300与封装件210举办气密性接合而了结密封工序(S43)，从而获得振荡器1100。然后，迁徙至查抄工序(S50)。

　　[0202]正在包罗安置工序(S41)、频率医治工序(S42)以及密封工序(S43)正在内的收纳工序(S40)之后，迁徙至查抄工序(S50)。正在查抄工序(S50)中，基于行动制品的振荡器1100的预订样式而奉行查抄。固然未图示，但查抄工序(S50)通过使查抄装配所具备的端子与外部维系电极620a、620b接触而奉行预订的功效品格查抄，而且奉行通过肉眼或显微镜而举办的外观查抄等，从而奉行杰出与否的决断。

　　[0203]上述的第三奉行方法所涉及的振荡器1100的创修形式通过正在振动片晶片2020的状况下奉行强勉励工序(S20)而使附着正在振动片100上的异物的起码一局部振落，从而低落附着正在振动片100上的异物被带入封装件210内的不妨性。于是，可能获得具备安祥的振动个性的振荡器1100。

　　[0204]另外，平昔往后正在广泛环境下所奉行的封装件内对半导体装配(IC)与振动片举办密封之后奉行强勉励的振荡器的环境下，强勉励的大电力也朝向半导体装配滚动，从而存正在半导体装配的损坏的不妨性。不过，正在本奉行方法所涉及的振荡器1100的创修形式中，因为正在振动片100为部件的阶段奉行强勉励工序(S20)，于是强勉励全部不会影响到强勉励工序(S20)之后的收纳工序(S40)中被安置的IC700，从而可能获得安祥的品格的振荡器1100。此外，假若以与第一奉行方法的强勉励工序(S5-1)类似的条款奉行第三奉行方法的强勉励工序(S20)，则可能获得与第一奉行方法类似的恶果。

　　[0205]另外，第二奉行方法所涉及的振子1000以登第三奉行方法所涉及的振荡器1100的创修形式以振动片晶片2020的方法而向第一振动片部2110施加用于强勉励的大电力(参照图15)。而且，因强勉励而形成的不足格振动片部2120F可能以图示的方法而正在部件状况下被检测出。

　　[0206]S卩，正在现有的技能(比方，日本特开)所公然的、使振动片、或者振动片和IC芯片装备正在空腔内而使振动片举办强勉励的方法中，正在因强勉励而使振动片或IC芯片成为功效不良的环境下，不良牺牲除了振动片本钱以外，还包罗封装件或者IC等的振动片以外的部件本钱和至此的加工年光(加工本钱)，从而会成为较大的牺牲本钱，不过依照上述创修形式可能避免这种环境。

　　[0207]上述的各奉行方法为一个示例而并不限度于此，并可能举办各类蜕变。比方，正在上述的各奉行方法中，行动基板的一个示例而行使了行动具有压电性的原料的水晶，不过并不限度于此，也能够行使硅半导体基板。内行动基板而行使硅半导体基板的环境下，行动勉励单位也能够行使诈欺了库仑力的静电驱动。

　　[0208]本发觉包罗与奉行方法中所证明的组织骨子上类似的组织(比方，功效、形式以及结果类似的组织、或者目标以及恶果类似的组织)。另外，本发觉包罗对正在奉行方法中所证明的组织的非性质局部举办置换的组织。另外，本发觉包罗与正在奉行方法中所证明的组织起到类似的效用恶果的组织或者可能竣工类似目标的组织。另外，本发觉包罗对正在奉行方法中所证明的组织上附加了公知技能的组织。

　　1.一种振动兴办的创修形式，包罗: 将与振动片的行使时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片，从而使所述振动片强勉励的工序； 正在使所述振动片强勉励的工序之后，奉行所述振动片的频率医治的工序。2.如权益条件1所述的振动兴办的创修形式，此中， 还包罗振动片变成工序，所述振动片变成工序为，正在使所述振动片强勉励的工序之前，正在基板上变成所述振动片的工序。3.如权益条件2所述的振动兴办的创修形式，此中， 使所述振动片强勉励的工序包罗，对所述振动片举办查抄的查抄工序。4.如权益条件2所述的振动兴办的创修形式，此中， 正在所述基板上变成有众个所述振动片。5.如权益条件3所述的振动兴办的创修形式，此中， 正在所述基板上变成有众个所述振动片。6.如权益条件4所述的振动兴办的创修形式，此中， 使所述振动片强勉励的工序针对被变成正在所述基板上的众个所述振动片而奉行。7.如权益条件5所述的振动兴办的创修形式，此中， 使所述振动片强勉励的工序针对被变成正在所述基板上的众个所述振动片而奉行。8.如权益条件1所述的振动兴办的创修形式，此中， 还包罗接合工序，所述接合工序为，正在使所述振动片强勉励的工序之前，经由接合部件而对基座与所述振动片举办接合的工序。9.如权益条件1所述的振动兴办的创修形式，此中， 正在使所述振动片强勉励的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。10.如权益条件2所述的振动兴办的创修形式，此中， 正在使所述振动片强勉励的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。11.如权益条件4所述的振动兴办的创修形式，此中， 正在使所述振动片强勉励的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。12.如权益条件8所述的振动兴办的创修形式，此中， 正在使所述振动片强勉励的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。13.如权益条件1所述的振动兴办的创修形式，此中， 所述振动片包罗水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举办振动的振动部。14.如权益条件2所述的振动兴办的创修形式，此中， 所述振动片包罗水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举办振动的振动部。15.如权益条件4的振动兴办的创修形式，此中， 所述振动片包罗水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举办振动的振动部。16.如权益条件8所述的振动兴办的创修形式，此中， 所述振动片包罗水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举办振动的振动部。17.一种振动兴办的创修形式，包罗: 变成振动片的振动片变成工序； 经由接合部件而对基座与所述振动片举办接合的振动片接合工序； 经由接合部件而对所述基座与半导体装配举办接合的半导体装配接合工序， 还包罗，正在所述半导体装配接合工序之前，将与所述振动片的行使时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片的强勉励工序。

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